Al — alluminio
Substrati metallici in alluminio. Geometria e finitura devono essere definite per la richiesta.
Apri la schedaMateriali per ricerca, microelettronica e fotonica. Esplora le famiglie, confronta le configurazioni documentate e definisci con Nanovision la tua richiesta.
Consulta le famiglie e le relative caratteristiche.
Silicio, germanio, composti semiconduttori e wafer con ossido.
Niobato e tantalato di litio, quarzo e altre famiglie dedicate.
Silice fusa e vetri identificati per famiglia o codice di grado.
Zaffiro, ossidi, granati, alogenuri e altri cristalli.
Allumina, nitruro di alluminio e zirconia stabilizzata.
Rame, nichel, alluminio e magnesio.
Indica materiale, dimensioni, quantità e, quando rilevanti, orientamento, finitura e dopaggio. Le opzioni riportate nelle schede non costituiscono tutte le combinazioni possibili: ogni configurazione va confermata in fase d’offerta.
Cerca un materiale o seleziona una categoria. Le specifiche dei vari prodotti sono a titolo di esempio, tutti i prodotti sono personalizzabili su vostra richiesta.
Substrati metallici in alluminio. Geometria e finitura devono essere definite per la richiesta.
Apri la schedaSubstrati in allumina ceramica Al2O3, distinti dai substrati in zaffiro monocristallino.
Apri la schedaZaffiro monocristallino in forma di wafer e substrati, con piani A, R, M e C indicati. È distinto dall’allumina ceramica.
Apri la schedaSubstrati in nitruro di alluminio ceramico. Dimensioni e finiture devono essere definite per la richiesta.
Apri la schedaBaF2 — fluoruro di bario. Il materiale è indicato in forma di wafer e substrati, con formati e orientamenti riportati per configurazione.
Apri la schedaBGO — substrati cristallini. Substrati con formati, spessori e orientamenti indicati per configurazione.
Esportazione verso l’Europa soggetta al rilascio di licenza.
Apri la schedaCaF2 — fluoruro di calcio. Il materiale è indicato in forma di wafer e substrati, con formati e orientamenti riportati per configurazione.
Apri la schedaCdWO4 — tungstato di cadmio. Substrati con formati, spessori e orientamenti indicati per configurazione.
Apri la schedaSubstrati metallici in rame. Geometria e finitura devono essere definite per la richiesta.
Apri la schedaDyScO3 — scandato di disprosio. Substrati con formati, spessori e orientamenti indicati per configurazione.
Esportazione verso l’Europa soggetta al rilascio di licenza.
Apri la schedaSubstrati identificati dalla sigla FTO; la struttura del supporto non è specificata. Dimensioni, finitura e parametri dello strato richiedono una definizione tecnica.
Apri la schedaGaAs — arseniuro di gallio. Il materiale è indicato in forma di wafer e substrati, con formati e orientamenti riportati per configurazione.
Esportazione verso l’Europa soggetta al rilascio di licenza.
Apri la schedaSubstrati e wafer GaN con configurazioni autoportanti di tipo N o semi-isolanti. La struttura GaN epitassiale su zaffiro è trattata separatamente.
Esportazione verso l’Europa soggetta al rilascio di licenza.
Apri la schedaGaSb — antimoniuro di gallio. Il materiale è indicato in forma di wafer e substrati, con formati e orientamenti riportati per configurazione.
Esportazione verso l’Europa soggetta al rilascio di licenza.
Apri la schedaGdScO3 — scandato di gadolinio. Substrati con formati, spessori e orientamenti indicati per configurazione.
Esportazione verso l’Europa soggetta al rilascio di licenza.
Apri la schedaGe — germanio. Il materiale è indicato in forma di wafer e substrati, con formati e orientamenti riportati per configurazione.
Esportazione verso l’Europa soggetta al rilascio di licenza.
Apri la schedaGGG — granato di gadolinio e gallio. Il materiale è indicato in forma di wafer e substrati, con formati e orientamenti riportati per configurazione.
Esportazione verso l’Europa soggetta al rilascio di licenza.
Apri la schedaGSGG — granato di gadolinio, scandio e gallio. Substrati con formati, spessori e orientamenti indicati per configurazione.
Esportazione verso l’Europa soggetta al rilascio di licenza.
Apri la schedaInAs — arseniuro di indio. Il materiale è indicato in forma di wafer e substrati, con formati e orientamenti riportati per configurazione.
Apri la schedaInP — fosfuro di indio. Il materiale è indicato in forma di wafer e substrati, con formati e orientamenti riportati per configurazione.
Esportazione verso l’Europa soggetta al rilascio di licenza.
Apri la schedaSubstrati identificati dalla sigla ITO; la struttura del supporto non è specificata. Dimensioni, finitura e parametri dello strato richiedono una definizione tecnica.
Apri la schedaKBr — bromuro di potassio. Substrati con formati, spessori e orientamenti indicati per configurazione.
Apri la schedaKCl — cloruro di potassio. Substrati con formati, spessori e orientamenti indicati per configurazione.
Apri la schedaKTaO3 — tantalato di potassio. Substrati con formati, spessori e orientamenti indicati per configurazione.
Apri la schedaKTN — tantalato-niobato di potassio. Substrati con formati, spessori e orientamenti indicati per configurazione.
Apri la schedaLaAlO3 — alluminato di lantanio. Il materiale è indicato in forma di wafer e substrati, con formati e orientamenti riportati per configurazione.
Apri la schedaLGS — langasite. Substrati con formati, spessori e orientamenti indicati per configurazione.
Esportazione verso l’Europa soggetta al rilascio di licenza.
Apri la schedaLiAlO2 — alluminato di litio. Il materiale è indicato in forma di wafer e substrati, con formati e orientamenti riportati per configurazione.
Apri la schedaLiF — fluoruro di litio. Il materiale è indicato in forma di wafer e substrati, con formati e orientamenti riportati per configurazione.
Apri la schedaNiobato di litio in substrati e wafer di grado ottico o SAW. Le configurazioni comprendono gradi CLN e SLN, varianti drogate e varianti ridotte nere.
Apri la schedaTantalato di litio in substrati e wafer di grado ottico o SAW. I gradi e i trattamenti di riduzione restano distinti per configurazione.
Apri la schedaLSAT — (La,Sr)(Al,Ta)O3. Il materiale è indicato in forma di wafer e substrati, con formati e orientamenti riportati per configurazione.
Apri la schedaSubstrati metallici in magnesio. Geometria e finitura devono essere definite per la richiesta.
Apri la schedaMgAl2O4. Il materiale è indicato in forma di wafer e substrati, con formati e orientamenti riportati per configurazione.
Apri la schedaMgAl6O10 — substrati cristallini. Il materiale è indicato in forma di wafer e substrati, con formati e orientamenti riportati per configurazione.
Apri la schedaMgF2 — fluoruro di magnesio. Il materiale è indicato in forma di wafer e substrati, con formati e orientamenti riportati per configurazione.
Apri la schedaMgO — ossido di magnesio. Il materiale è indicato in forma di wafer e substrati, con formati e orientamenti riportati per configurazione.
Apri la schedaNaCl — cloruro di sodio. Substrati con formati, spessori e orientamenti indicati per configurazione.
Apri la schedaNdCaAlO4 — substrati cristallini. Substrati con formati, spessori e orientamenti indicati per configurazione.
Apri la schedaNdGaO3 — gallato di neodimio. Substrati con formati, spessori e orientamenti indicati per configurazione.
Esportazione verso l’Europa soggetta al rilascio di licenza.
Apri la schedaSubstrati metallici in nichel. Geometria e finitura devono essere definite per la richiesta.
Apri la schedaPMN-PT — substrati piezoelettrici. Il materiale è indicato in forma di wafer e substrati, con formati e orientamenti riportati per configurazione.
Apri la schedaScMgAlO4 — SCAM. Substrati con formati, spessori e orientamenti indicati per configurazione.
Esportazione verso l’Europa soggetta al rilascio di licenza.
Apri la schedaSGGG — granato GGG sostituito. Substrati con formati, spessori e orientamenti indicati per configurazione.
Esportazione verso l’Europa soggetta al rilascio di licenza.
Apri la schedaSubstrati e wafer di silicio, con configurazioni CZ, FZ e con ossido. I gradi Prime, Test e Dummy e i drogaggi sono distinti dai requisiti dimensionali.
Apri la schedaSubstrati in carburo di silicio 4H e 6H e wafer 4H-SiC. Sono distinti i tipi semi-isolanti e di tipo N e i gradi Production, Research e Dummy.
Apri la schedaSilice fusa amorfa in gradi JGS1, JGS2 e JGS3, in forma di wafer o piastre. È distinta dal quarzo monocristallino.
Apri la schedaWafer di quarzo monocristallino in grado ottico e SAW, con tagli e formati specifici del grado. Non sono wafer di silice fusa amorfa.
Apri la schedaSrLaAlO4 — substrati cristallini. Il materiale è indicato in forma di wafer e substrati, con formati e orientamenti riportati per configurazione.
Apri la schedaSubstrati di titanato di stronzio con varianti SrTiO3, Fe:SrTiO3, Nb:SrTiO3 e Nd:SrTiO3. Formati e concentrazioni sono indicati separatamente per variante.
Apri la schedaTbScO3 — scandato di terbio. Substrati con formati, spessori e orientamenti indicati per configurazione.
Esportazione verso l’Europa soggetta al rilascio di licenza.
Apri la schedaTeO2 — biossido di tellurio. Il materiale è indicato in forma di wafer e substrati, con formati e orientamenti riportati per configurazione.
Apri la schedaTGG — granato di terbio e gallio. Il materiale è indicato in forma di wafer e substrati, con formati e orientamenti riportati per configurazione.
Esportazione verso l’Europa soggetta al rilascio di licenza.
Apri la schedaTiO2 — biossido di titanio. Substrati con formati, spessori e orientamenti indicati per configurazione.
Apri la schedaRaggruppamento di vetri ottici e altri gradi di vetro o silice identificati da codice. Il codice di grado va indicato nella richiesta, senza presumere equivalenze fra denominazioni.
Apri la schedaSubstrati in vetro senza un grado o una composizione individuale specificati. La scelta del materiale deve essere definita prima di valutare i parametri di lavorazione.
Apri la schedaWafer con ossido termico, con processi di ossidazione umida o secca indicati. La struttura completa del wafer e lo spessore dell’ossido vanno precisati nella richiesta.
Apri la schedaSubstrati monocristallini YAG non drogati e Ce:YAG. Le due varianti mantengono formati e specifiche separati, senza includere ceramiche trasparenti.
Esportazione verso l’Europa soggetta al rilascio di licenza.
Apri la schedaSubstrati YAP (YAlO3) e Ce:YAP monocristallini. I formati e gli orientamenti documentati non vengono trasferiti automaticamente fra le varianti.
Esportazione verso l’Europa soggetta al rilascio di licenza.
Apri la schedaSubstrati ceramici in zirconia stabilizzata con ittrio, distinti dalla variante monocristallina.
Esportazione verso l’Europa soggetta al rilascio di licenza.
Apri la schedaYSZ — zirconia monocristallina stabilizzata con ittrio. Il materiale è indicato in forma di wafer e substrati, con formati e orientamenti riportati per configurazione.
Esportazione verso l’Europa soggetta al rilascio di licenza.
Apri la schedaYVO4 — vanadato di ittrio. Substrati con formati, spessori e orientamenti indicati per configurazione.
Esportazione verso l’Europa soggetta al rilascio di licenza.
Apri la schedaZnO — ossido di zinco. Substrati con formati, spessori e orientamenti indicati per configurazione.
Apri la schedaZnSe — seleniuro di zinco. Il materiale è indicato in forma di wafer e substrati, con formati e orientamenti riportati per configurazione.
Apri la schedaQuattro sistemi per proteggere wafer singoli o gruppi di wafer. Consulta materiali e formati di ogni famiglia: capacità, geometria e proprietà conduttive non sono intercambiabili.
Contenitori in polipropilene naturale o nero conduttivo per lo stoccaggio, il trasporto e la manipolazione di wafer semiconduttori, wafer in vetro e altri oggetti piatti delicati.
Apri la schedaCarrier a conchiglia in policarbonato trasparente o nero conduttivo per wafer da 6″ e 8″.
Apri la schedaCarrier impilabili in policarbonato trasparente o nero conduttivo per wafer da 12″ (300 mm).
Apri la schedaContenitori in polipropilene traslucido per stoccaggio e trasporto verticale di wafer interi, in cinque formati da 1″ a 8″.
Apri la schedaLe misure in pollici e millimetri sono nominali, non conversioni matematiche. Specificare diametro, spessore, quantità di wafer e requisiti ESD. Compatibilità, confezionamento e disponibilità si confermano in fase d’offerta. Non sono dichiarate compatibilità di processo o certificazioni cleanroom.